模擬CMOS集成電路設計是現代微電子領域的核心技術之一，它專注于利用互補金屬氧化物半導體（CMOS）工藝來設計和實現處理連續時間信號的電路。EE618作為一門典型的高級專業課程，系統性地涵蓋了從基礎理論到前沿設計的完整知識體系。

課程通常以CMOS工藝與器件物理為起點，深入講解MOSFET的直流特性、小信號模型、頻率響應以及噪聲模型。這是理解后續所有電路模塊行為的基石。掌握晶體管的二級效應，如體效應、溝道長度調制和亞閾值導電，對于高性能設計至關重要。

核心內容圍繞基本模擬電路模塊展開：

1. 單級放大器：包括共源、共柵、共漏（源極跟隨器）以及共源共柵結構，分析其增益、帶寬、輸入輸出阻抗和線性度。
2. 差分放大器：作為模擬電路的核心，重點研究其差模增益、共模抑制比、失調電壓和頻率響應。
3. 電流鏡與偏置技術：提供穩定可靠的參考電流與電壓，是構建所有模擬電路的“基石”。
4. 運算放大器設計：這是課程的高潮與綜合體現。學生將學習多級運放的結構（如套筒式、折疊式共源共柵、兩級運放）、頻率補償技術（米勒補償）、擺率與建立時間分析，以及穩定性判據。
5. 穩定性與頻率補償：利用波特圖和相位裕度概念分析系統的穩定性，并學習主極點補償、零點補償等關鍵技術。
6. 噪聲分析：理解電路中熱噪聲和閃爍噪聲的來源，并學會計算輸入參考噪聲，這對高精度應用（如傳感器接口、音頻電路）必不可少。
7. 非線性與反饋：反饋理論能極大地改善電路的性能參數（如增益精度、帶寬、線性度）。課程會分析電壓-電壓、電流-電壓等不同反饋配置的影響。

EE618課程不僅強調理論推導，更注重設計實踐。學生通常需要使用專業的EDA工具（如Cadence Virtuoso）進行電路仿真（DC、AC、瞬態、噪聲分析等）和版圖設計。版圖設計環節會深入探討匹配性、寄生效應、閂鎖效應（Latch-up）預防和靜電放電（ESD）保護電路設計，這是將電路圖轉化為可制造芯片的關鍵步驟。

隨著技術發展，課程也會觸及一些高級主題，如低壓設計技術、開關電容電路基礎、數據轉換器（ADC/DAC）簡介以及電源管理電路（如LDO）原理。這些內容將模擬設計能力延伸到更復雜的系統應用層面。

EE618模擬CMOS集成電路設計課程為學生構建了堅實的理論框架與實踐技能，使其能夠獨立分析和設計關鍵的模擬電路模塊，并為從事高性能模擬芯片、混合信號芯片或射頻集成電路（RFIC）的研發工作打下堅實基礎。這門課程要求學生具備扎實的電路理論和半導體器件知識，并通過大量的習題和設計項目來深化理解，是通往頂尖芯片設計工程師道路上的重要里程碑。